Nouvelle structure de transistors chez Intel : le Tri-Gate [MàJ]
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Nouvelle structure de transistors chez Intel : le Tri-Gate [MàJ]
Aujourd'hui, Intel a fait la présentation officielle de sa technologie de gravure en 22 nm, les premiers produits concernés seront les Ivy Bridge commercialisé vers la fin de l'année 2011. Avec cette gravure en 22 nm, la grosse surprise est l’apparition de la technologie Tri-Gate.
Le concept du Tri-Gate est d'ajouter une troisième dimension sous la forme d'un petit ergot dans le channel (le fin), au lieu de créer des transistors sur un plan. Cet ajout permet d'augmenter la surface de contact de la porte sur le substrat (sans nuire à la densité) se fait maintenant sur trois plans, d'où le nom du Tri-Gate. Sur le schéma ci-dessous, on peut voir en jaune/bleu la surface de contact sur le substrat (une autre illustration).
Avec cette augmentation de la surface de contact, l'avantage est de réduire les courants de fuite lorsque le transistor est éteint. Avec ce type de technologie, on peut aussi facilement augmenter le nombre de fin et avoir ainsi des transistors plus performants (voir cette illustration).
Intel parle d'un gain en pratique de 37% sur la rapidité du transistor à bas voltage (à peu près 18% avec un voltage plus élevé). Maintenant ce qui importe le plus Intel ce n'est plus l'augmentation des performances mais la baisse de la consommation électrique. Comme avec le 32 nm, le constructeur pourrait disposer de deux nodes, un destiné aux processeurs desktop/mobile (P1270) et l'autre pour les les applications ultramobiles (SoC, P1271). C'est à cause de la consommation idle que l'arrivé de l'architecture Atom sur les applications ultramobiles et maintenant ça sera peut-être de nouveau possible.
Voici une vidéo où Mark T. Bohr présente cette réussite :
Source : Hardware.fr
Le concept du Tri-Gate est d'ajouter une troisième dimension sous la forme d'un petit ergot dans le channel (le fin), au lieu de créer des transistors sur un plan. Cet ajout permet d'augmenter la surface de contact de la porte sur le substrat (sans nuire à la densité) se fait maintenant sur trois plans, d'où le nom du Tri-Gate. Sur le schéma ci-dessous, on peut voir en jaune/bleu la surface de contact sur le substrat (une autre illustration).
Avec cette augmentation de la surface de contact, l'avantage est de réduire les courants de fuite lorsque le transistor est éteint. Avec ce type de technologie, on peut aussi facilement augmenter le nombre de fin et avoir ainsi des transistors plus performants (voir cette illustration).
Intel parle d'un gain en pratique de 37% sur la rapidité du transistor à bas voltage (à peu près 18% avec un voltage plus élevé). Maintenant ce qui importe le plus Intel ce n'est plus l'augmentation des performances mais la baisse de la consommation électrique. Comme avec le 32 nm, le constructeur pourrait disposer de deux nodes, un destiné aux processeurs desktop/mobile (P1270) et l'autre pour les les applications ultramobiles (SoC, P1271). C'est à cause de la consommation idle que l'arrivé de l'architecture Atom sur les applications ultramobiles et maintenant ça sera peut-être de nouveau possible.
Voici une vidéo où Mark T. Bohr présente cette réussite :
Source : Hardware.fr
Dernière édition par the prisoner le Jeu 5 Mai 2011 - 9:49, édité 2 fois
Re: Nouvelle structure de transistors chez Intel : le Tri-Gate [MàJ]
c'est cool ça, peut etre pas de chipset integré avec le processeur
maintenant le tri-gate
trés bonne initiative de la part d'intel, il s'annonce pas mal ce ivy bridge
maintenant il reste plus que a espérée que cela ce fasse comme annoncé
maintenant le tri-gate
trés bonne initiative de la part d'intel, il s'annonce pas mal ce ivy bridge
maintenant il reste plus que a espérée que cela ce fasse comme annoncé
julienrider- V.I.P.
- Messages : 543
Date d'inscription : 02/06/2010
Age : 32
Re: Nouvelle structure de transistors chez Intel : le Tri-Gate [MàJ]
Très intéressant ce petit documentaire, même en anglais, j'ai bien compris l'idée, c'est bien expliqué et comme le dis "julienrider" : il reste plus qu'a espérer que cela fasse comme annoncé
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